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Business

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반도체 분야

Power Supply (DIP-1550)

DIP-1550
제품명

본 장비는 IGBT 방식을 이용한 INGOT 성장용 Dual Power Supply 입니다. IGBT는 입력부(Gate)의 Impedance가 FET와 같이 무한대에 가깝고 출력 C-E은 Transistor의 특성을 갖는 전력용 반도체 소자입니다.

Specification
1. Main Supply POWER (Side Heater)
- Input Power : AC 3Φ 200KVA
- Rated Voltage : 440Vac ± 10% 60Hz
- Power factor : More than 90% (한전기준)
- Efficiency : More than 85%
- Output Power Adjustment Range : 3~150KW
- Output Current Range : Max. 2300A (65V)
- Accuracy : Less than ± 0.1% F.S

2. AUX. Supply Power (Bottom Heater)
- Input Power : AC 3Φ 200KVA
- Rated Voltage : 440Vac ± 10% 60Hz
- Power factor : More than 90% (한전기준)
- Efficiency : More than 85%
- Output Power Adjustment Range : 3~50KW
- Output Current Range : Max. 800A (65V)
- Accuracy : Less than ± 0.1% F.S
Machine Features
- SIDE와 BOTTOM HEATER에 동시 출력이 가능한 Dual 출력방식
- 고 역률로 역률개선을 위한 별도 설비비 및 운용비 절감
- 역률 및 효율 향상을 통한 전력요금 감소로 생산원가 절감
- 장비의 소형화 및 경량화 실현
- 스위치 속도가 빨라 무소음 (15-30 KHz)
- 입력전원의 역률 양호 (한전기준 만족)

            [전력제어 방식의 성능 비교]

구    분
          SCR방식         
IGBT방식
제어정밀도
± 0.5%
± 0.5%
제어범위
0~100%
2~100%
제어응답속도
0.05~0.2초
0.002~0.01초
역    률
0.3 ~ 0.7
0.9 이상
소    음
10
2 : 무소음
크기(중량)
10 (10)
5 (4) : 소형/경량화