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Business

머신비전 장비

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반도체 분야

Power Supply (DIP-S150)

DIP-S150
제품명

본 장비는 IGBT 방식을 이용한 사파이어 INGOT 성장용 Power Supply입니다. IGBT는 입력부(Gate)의 Impedance가 FET와 같이 무한대에 가깝고 출력 C-E은 Transistor의 특성을 갖는 전력용 반도체 소자입니다.

Specification
1. Main supply power
- Number of phase : 3 phase
- Rated voltage : 380Vac
- Number of wire : 5-wire / PE
- Voltage variation : 380Vac ± 10%
- Frequency : 60Hz
- Capacity : Max. 220kVA
- System control power 용 MCCB 설치
a. Grower 장비 제어 전원(40A) : 4-pole
b. Backup Pump 전원(20A) : 3-pole

2. Heater controller input power
- Number of phase : 3 phase
- Rated voltage : 380Vac
- Number of wire : 3-wire / PE
- Frequency : 60Hz
- Capacity : Max. 200kVA
- Power factor : More than 90% (한전기준)
- Efficiency : More than 85%

3. Heater controller output power
- Rated output : 13Vac, 12000A
- Output power adjustment range : 0 to 150kW
- Output voltage adjustment range : 0 to 13V
- Power cable : braided wire type
Machine Features
- IGBT를 이용하여 기존의 SCR방식에 비해 역률과 효율을 높다
- 고 역률로 역률개선을 위한 별도 설비비 및 운용비 절감
- 역률 및 효율 향상을 통한 전력요금 감소로 생산원가 절감
- 장비의 소형화 및 경량화 실현
- 스위치 속도가 빨라 무소음 (15-30 KHz)
- 입력전원의 역률 양호 (한전기준 만족)
- Remote / Local 선택운전 가능
- Remote mode 시 외부 원격제어 가능
- Remote mode 시 RS422 통신을 이용, 현재의 전압, 전류, 전력 등 데이터 확인 가능
- 제어모드 선택에 따라 정전력, 정전압, 정전류의 3가지 제어방식으로 2차측 제어가 가능하여 설정한 값을 일정하게 유지 가능