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Power Supply
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본 장비는 IGBT 방식을 이용한 사파이어 INGOT 성장용 Power Supply입니다. IGBT는 입력부(Gate)의 Impedance가 FET와 같이 무한대에 가깝고 출력 C-E은 Transistor의 특성을 갖는 전력용 반도체 소자입니다. |
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본 장비는 IGBT 방식을 이용한 INGOT 성장용 Dual Power Supply 입니다. IGBT는 입력부(Gate)의 Impedance가 FET와 같이 무한대에 가깝고 출력 C-E은 Transistor의 특성을 갖는 전력용 반도체 소자입니다. |
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본 장비는 Kyropoulos 방식으로 제작된 사파이어 INGOT 성장용 Power Supply입니다. | |
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